Laboratorio A6. Crecimiento de Películas Delgadas Semiconductoras

Investigadores Responsables:

Dr. Gerardo Torres Delgado.

Dr. Sergio Jiménez Sandoval.

 

Auxiliar:

M. C. Joaquín Márquez Marín.

 


Edificio A : Crecimiento de Películas Delgadas Semiconductoras.

Tel Laboratorio: (442) 2119900 ext. 1532

 

Descripción del Laboratorio:

Obtención de películas delgadas de mezclas de óxidos semiconductores nanoestructurados por la técnica de Sol-Gel y su aplicación en la degradación de compuestos orgánicos en fase líquida y gas. Obtención de películas semiconductoras del grupo III-V por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Obtención de películas semiconductoras binarias, ternarias y cuaternarias por la técnica de Erosión Catódica (Sputtering).

 

 

Equipos

 

1. Sputtering.

Crecimiento de películas delgadas por Erosión Catódica.

Crecimiento desde temperatura ambiente hasta 600°C.

Vacio 10-6 Torrs.

 

 

 

 

 

 

 

2. Sputtering.

Crecimiento de películas delgadas por Erosión Catódica.

Crecimiento desde temperatura ambiente hasta 200°C.

Vacio 10-6 Torrs.

 

 

 

3. Epitaxia en fase líquida.

Crecimiento de películas cristalinas de alta calidad.
Presión hasta 10-6 Torr.
Temperaturas hasta 900ºC

 

 


 

 

 

5. Equipos Varios.

*Sistema de Inmersión para crecimiento de películas delgadas.

* Campanas de Extacción y Muflas.

 

 

 


 

 

 

 

Coordinación Técnica

 
Mayores informes:
Correo: ctecnica.qro@cinvetav.mx
Tel: (442) 2119919